Samsung bugün, sanayinin en küçük 14 nanometre çok ultraviyole (EUV) teknolojisine dayalı DRAM’ier için seri üretime başladığını duyurdu. Yonga üreticisi, geçen yılın Mart ayında daldaki birinci EUV DRAM sevkiyatını yapmıştı. Artık ise DDR5 belleklerde gelişmiş DRAM yongalar sunmak için EUV katmanlarının sayısı beşe çıktı.
DRAM’ler 10nm teknolojisine hakikat küçülmeye devam ettikçe, daha yüksek performans/verimlilik ve desenleme doğruluğunu geliştirmek için EUV teknolojisi giderek daha değerli hale geliyor. Samsung, 14nm DRAM’ine beş EUV katmanı uygulayarak en yüksek bit yoğunluğunu elde ederken genel wafer (silikon disk plaka) üretkenliğini yaklaşık %20 oranında artırdı. Ek olarak, 14nm süreci evvelki kuşak DRAM teknolojisine kıyasla güç tüketimini yaklaşık %20 oranında azaltmaya yardımcı oluyor.
Yeni jenerasyon DDR5 standardından yararlanan Samsung’un 14nm DRAM’i, 3,2 Gb/sn’ye kadar olan DDR4 suratının iki katından fazlasına, saniyede 7,2 gigabit’e (Gbps) varan yüksek suratların önünü açacak.
Samsung Electronics, tüketici pazarının yanı sıra bilgi merkezi, muhteşem bilgisayarlar ve kurumsal sunucu uygulamalarını desteklemek için 14nm DDR5 portföyünü genişletmeyi planlıyor. Ayrıyeten BT sistemlerinin süratle artan bilgi taleplerini daha yeterli karşılamak için 14nm DRAM çip yoğunluğu 24 Gb’ye kadar çıkacak.
Son olarak, Samsung Electronics Kıdemli Lider Yardımcısı ve DRAM Eser & Teknoloji Lideri Jooyoung Lee’nin kelamlarına değinelim:
“Değerli modelleme teknolojisi yeniliklerine öncülük ederek yaklaşık otuz yıldır DRAM pazarına öncülük ettik.
Bugün Samsung, 14nm’de çok minyatürleştirmeyi mümkün kılan epeyce katmanlı EUV ile öteki bir teknoloji kilometre taşını belirliyor. Bu, klasik argon florür (ArF) süreciyle mümkün olmayan bir muvaffakiyet. Data odaklı 5G, yapay zeka ve meta data dünyasında daha fazla performans ve kapasite gereksinimini tam olarak karşılayarak bellek tahlilleri için en güzel ve farklı olanı sunmaya devam edeceğiz.“
DRAM’ler 10nm teknolojisine hakikat küçülmeye devam ettikçe, daha yüksek performans/verimlilik ve desenleme doğruluğunu geliştirmek için EUV teknolojisi giderek daha değerli hale geliyor. Samsung, 14nm DRAM’ine beş EUV katmanı uygulayarak en yüksek bit yoğunluğunu elde ederken genel wafer (silikon disk plaka) üretkenliğini yaklaşık %20 oranında artırdı. Ek olarak, 14nm süreci evvelki kuşak DRAM teknolojisine kıyasla güç tüketimini yaklaşık %20 oranında azaltmaya yardımcı oluyor.
Yeni jenerasyon DDR5 standardından yararlanan Samsung’un 14nm DRAM’i, 3,2 Gb/sn’ye kadar olan DDR4 suratının iki katından fazlasına, saniyede 7,2 gigabit’e (Gbps) varan yüksek suratların önünü açacak.
Samsung Electronics, tüketici pazarının yanı sıra bilgi merkezi, muhteşem bilgisayarlar ve kurumsal sunucu uygulamalarını desteklemek için 14nm DDR5 portföyünü genişletmeyi planlıyor. Ayrıyeten BT sistemlerinin süratle artan bilgi taleplerini daha yeterli karşılamak için 14nm DRAM çip yoğunluğu 24 Gb’ye kadar çıkacak.
Son olarak, Samsung Electronics Kıdemli Lider Yardımcısı ve DRAM Eser & Teknoloji Lideri Jooyoung Lee’nin kelamlarına değinelim:
“Değerli modelleme teknolojisi yeniliklerine öncülük ederek yaklaşık otuz yıldır DRAM pazarına öncülük ettik.
Bugün Samsung, 14nm’de çok minyatürleştirmeyi mümkün kılan epeyce katmanlı EUV ile öteki bir teknoloji kilometre taşını belirliyor. Bu, klasik argon florür (ArF) süreciyle mümkün olmayan bir muvaffakiyet. Data odaklı 5G, yapay zeka ve meta data dünyasında daha fazla performans ve kapasite gereksinimini tam olarak karşılayarak bellek tahlilleri için en güzel ve farklı olanı sunmaya devam edeceğiz.“