Samsung Foundry ve Synopsys, hayli istikametli transistör yapısına sahip 3GAA süreç teknolojisini kullanarak birinci 3nm test çipini ürettiğini duyurdu. Bu test çipleri, Synopsys’in Fusion Design Platform yazılımında bulunan elektronik tasarım otomasyon (EDA) araçları kullanılarak tasarlandı. Güçlerini birleştiren iki silikon kuruluşunun yapıtı olarak ortaya çıkan 3GAA test çipleri, hayli düşük güç tüketimiyle daha yüksek performansı bir ortaya getirmeyi hedefliyor.
Samsung Foundry‘ın birkaç yıldır kullandığı Çok Taraflı Transistör Yapısı olan GAA‘nın 3nm süreç teknolojisine dayanan haline 3GAA ismi veriliyor. Yarı iletken bölümündeki öbür şirketlerin ürettiği yongalardan bildiğimiz FinFET teknolojisinden çok daha avantajlı olan GAA, silikon boyutunu %30’a kadar azaltmasının yanında kayda paha düzeyde performans artışı da kazandırıyor. GAA transistörler, bünyesindeki kanalları ve nano sayfaları istenen boyuta ayarlayabildikleri için bu olumlu tarafların oluştuğunu belirtmekte yarar var. Çünkü performans ve güç tasarrufu içindeki dengeyi sağlamada bu dinamik büyük bir değer arz ediyor.
Samsung, GAA temelinde geliştirilen 3GAA teknolojisinden faydalanıp, 3nm bir çip tasarlayabilmek için bu alanda çalışmaları olan farklı bir şirketle iş birliğine gitti. Çip dizaynında Synopsys‘in Fusion Design Platform yazılımındaki elektronik tasarım otomasyon araçları kullanıldı. Bu araçlar, tasarım kademesindeki transistör yerleşimi, yonga inşa kurallarını ve geometrideki değişkenlikleri hesaba katmada kullanılıyor.
Samsung Foundry mühendisleri, tüm sürecin sonunda Synopsys’in Fusion Design Platform yazılımında bulunan EDA araçlarını ve şirketin öteki paketlerini kullanarak 3nm yongayı üretmeyi başardı. Samsung Foundry Tasarım Teknolojisi Grubu Lider Yardımcısı Sangyun Kim, konuyla alakalı yaptığı bir açıklamada “3nm GAA geliştirme sürecimiz, Synopsys ile olan kapsamlı iş birliğimizin tesiriyle de birlikte verimli bir biçimde geçti. Bu durum, değerli derecedeki ittifakların faydasını ortaya koyuyor.” kelamlarına yer verdi.
İlerleyen süreçte bu yongayı kullanacak birinci aygıtların Samsung akıllı telefonlar, bilgisayarlar ve akıllı televizyonlar olacağı varsayım ediliyor. Samsung, 3nm süreç teknolojisiyle bir arada yarı iletken bölümünde büyük bir atılım yapabilir. Mevzuyla alakalı niyetlerini yorumlarda belirtmeyi unutmayın.
Samsung Foundry‘ın birkaç yıldır kullandığı Çok Taraflı Transistör Yapısı olan GAA‘nın 3nm süreç teknolojisine dayanan haline 3GAA ismi veriliyor. Yarı iletken bölümündeki öbür şirketlerin ürettiği yongalardan bildiğimiz FinFET teknolojisinden çok daha avantajlı olan GAA, silikon boyutunu %30’a kadar azaltmasının yanında kayda paha düzeyde performans artışı da kazandırıyor. GAA transistörler, bünyesindeki kanalları ve nano sayfaları istenen boyuta ayarlayabildikleri için bu olumlu tarafların oluştuğunu belirtmekte yarar var. Çünkü performans ve güç tasarrufu içindeki dengeyi sağlamada bu dinamik büyük bir değer arz ediyor.
Samsung, GAA temelinde geliştirilen 3GAA teknolojisinden faydalanıp, 3nm bir çip tasarlayabilmek için bu alanda çalışmaları olan farklı bir şirketle iş birliğine gitti. Çip dizaynında Synopsys‘in Fusion Design Platform yazılımındaki elektronik tasarım otomasyon araçları kullanıldı. Bu araçlar, tasarım kademesindeki transistör yerleşimi, yonga inşa kurallarını ve geometrideki değişkenlikleri hesaba katmada kullanılıyor.
Samsung Foundry mühendisleri, tüm sürecin sonunda Synopsys’in Fusion Design Platform yazılımında bulunan EDA araçlarını ve şirketin öteki paketlerini kullanarak 3nm yongayı üretmeyi başardı. Samsung Foundry Tasarım Teknolojisi Grubu Lider Yardımcısı Sangyun Kim, konuyla alakalı yaptığı bir açıklamada “3nm GAA geliştirme sürecimiz, Synopsys ile olan kapsamlı iş birliğimizin tesiriyle de birlikte verimli bir biçimde geçti. Bu durum, değerli derecedeki ittifakların faydasını ortaya koyuyor.” kelamlarına yer verdi.
İlerleyen süreçte bu yongayı kullanacak birinci aygıtların Samsung akıllı telefonlar, bilgisayarlar ve akıllı televizyonlar olacağı varsayım ediliyor. Samsung, 3nm süreç teknolojisiyle bir arada yarı iletken bölümünde büyük bir atılım yapabilir. Mevzuyla alakalı niyetlerini yorumlarda belirtmeyi unutmayın.